梦晖科技取得真空夹层晶体坩埚专利，大幅提高晶体生长的产率和良率

　　国家知识产权局信息显示，北京梦晖科技有限公司取得一项名为“一种真空夹层晶体坩埚”的专利，授权公告号CN 222313389 U，申请日期为2024年5月。

　　 专利摘要显示，本实用新型公开了一种真空夹层晶体坩埚，属于单晶体制备工具技术领域。一种真空夹层晶体坩埚，包括坩埚本体，还包括：真空内层，所述真空内层设置在坩埚本体内部；外接坩埚管，固定连接在所述坩埚本体上，所述外接坩埚管远离坩埚本体的一端朝向坩埚本体上方；真空内管，设置在所述外接坩埚管内部，所述真空内管与真空内层相通；小型负压表，固定连接在所述外接坩埚管上；本实用新型通过设置了真空内层，大幅降低坩埚外壁的热量损失，提高了坩埚各部分的温度均匀性，从而大幅提高晶体生长的产率和良率，同时还可以观测负压情况，减少因泄露而导致坩埚内部温度不一致，晶体生长因此开裂的情况。

　　 天眼查资料显示，北京梦晖科技有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京梦晖科技有限公司知识产权方面有商标信息2条，专利信息7条，此外企业还拥有行政许可4个。