中电华大申请芯片老化测试方法及系统专利，降低芯片设计复杂度减小所需面积

　　国家知识产权局信息显示，北京中电华大电子设计有限责任公司申请一项名为“芯片老化测试方法及系统”的专利，公开号CN 119375679 A，申请日期为2024年12月。

　　 专利摘要显示，本发明公开了一种芯片老化测试方法及系统。根据本发明实施例的芯片老化测试方法包括向老化测试芯片发送控制信号，在所述控制信号的控制下，所述老化测试芯片进入老化模式；在所述老化测试芯片处于所述老化模式时，获取所述老化测试芯片反馈的状态信息；以及根据所述状态信息，判断所述老化测试芯片是否达到老化预期。根据本发明实施例的芯片老化测试方法及系统，老化测试芯片的老化测试记录由外部实现，降低了芯片的设计复杂度，减小了芯片所需面积。

　　 天眼查资料显示，北京中电华大电子设计有限责任公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本44680万人民币，实缴资本44680万人民币。通过天眼查大数据分析，北京中电华大电子设计有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目67次，知识产权方面有商标信息35条，专利信息794条，此外企业还拥有行政许可8个。