长飞先进半导体申请半导体器件相关专利，提高器件稳定性

　　国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体有限公司申请一项名为“半导体器件功率模块功率转换电路车辆及半导体器件的制备方法”的专利，公开号 CN 119403182 A ，申请日期为 2025 年 1 月。

　　 专利摘要显示，本发明公开了一种半

　　 导体器件、功率

　　 模块、功率转换

　　 电路、车辆及半

　　 导体器件的制备

　　 方法，半导体器

　　 件包括：半导体

　　 本体，栅极结构，位于所述栅极沟槽内；源极结构，位于所述源

　　 极沟槽内；漏极，位于所述第二表面；源极，位于所述第一表面，

　　 其中，所述源极远离所述漏极一侧的第三表面设置有第一沟

　　 槽，所述第一沟槽从所述第三表面延伸至所述源极中；钝化层，

　　 位于所述源极远离所述漏极的一侧，其中，至少部分所述钝化

　　 层位于所述第一沟槽内。本发明提供一种半导体器件、功率模

　　 块、功率转换电路、车辆及半导体器件的制备方法，提高了钝化

　　 层与源极之间的结合力，避免开裂，提高了器件稳定性。

　　 天眼查资料显示，长飞先进半导体有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币，实缴资本104000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体有限公司参与招投标项目23次，专利信息33条，此外企业还拥有行政许可8个。