晶芯成申请镍硅化物形成方法及半导体器件专利，提升镍硅化物的热稳定性

　　国家知识产权局信息显示，晶芯成科技有限公司申请一项名为“镍硅化物的形成方法及半导体器件”的专利，公开号CN 119403197 A，申请日期为2025年1月。

　　 专利摘要显示，本申请公开了一种镍硅化物的形成方法及半导体器件。其中，所述镍硅化物的形成方法包括：提供一形成有栅极、源极以及漏极的衬底；以及在所述衬底的栅极、源极以及漏极的表面形成具有夹层结构的镍硅化物，其中所述镍硅化物的夹层结构包括镍硅薄膜和位于所述镍硅薄膜的顶部和底部的合金层。通过本申请的方案，改变了传统的镍硅化物的结构，以在衬底的栅极、源极以及漏极上形成具有镍硅薄膜和合金层的镍硅化物，使得镍硅化物可以通过位于镍硅薄膜顶部和底部的合金层来阻挡镍硅薄膜中的镍在高温下向外扩散，从而提升镍硅化物的热稳定性。

　　 天眼查资料显示，晶芯成科技有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本20万人民币，实缴资本20万人民币。通过天眼查大数据分析，晶芯成科技有限公司专利信息178条，此外企业还拥有行政许可1个。