南京南瑞半导体申请碳化硅MOSFET器件及其制备方法专利，提升器件抵御短路电流冲击的能力

　　国家知识产权局信息显示，南京南瑞半导体有限公司申请一项名为“一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN 119403186 A，申请日期为2024年10月。

　　 专利摘要显示，本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，沟道区旁边增设短路耐受增强区域，增加器件的有效沟道长度，提升器件抵御短路电流冲击的能力，增长器件的短路耐受时间；短路耐受增强区域之间设置电流扩散区域平衡其对器件电流导通能力的影响；阱区之间增设电场调制区域，当器件工作于阻断状态时，有效防止短路耐受增强区域受高电场威胁，确保器件的阻断能力；电场调制区域之间增设电流扩散区、上方设置电流调制区域，减少电场调制区域对器件电流的导通能力；该器件结构和制备方法简单，与传统碳化硅MOSFET制备工艺兼容高，可实现批量化生产。

　　 天眼查资料显示，南京南瑞半导体有限公司，成立于2019年，位于南京市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本86671.89万人民币，实缴资本84686.56万人民币。通过天眼查大数据分析，南京南瑞半导体有限公司参与招投标项目269次，知识产权方面有商标信息25条，专利信息118条，此外企业还拥有行政许可14个。