上海华力申请高压器件结构专利，解决寄生晶体管提前开启问题

　　国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“高压器件结构”的专利，公开号CN 119403200 A，申请日期为2024年10月。

　　 专利摘要显示，本发明提供一种高压器件结构，结构包括：衬底，栅介质层，栅介质层形成于沟槽内，且沟槽形成于衬底内；高压P阱，高压P阱形成于衬底内；第一N型扩散区，第一N型扩散区形成于栅介质层的第一侧面处的高压P阱内，并部分地延伸至栅介质层的下方；第二N型扩散区，第二N型扩散区与第一N型扩散区有间隔，形成于栅介质层的第二侧面处的高压P阱内，并部分地延伸至栅介质层的下方；漏端，漏端形成于第一N型扩散区的表层中；源端，源端形成于第二N型扩散区的表层中；栅极材料层，栅极材料层形成于栅介质层的表面，其包括第一区域、第二区域及第三区域。通过本发明解决了现有的寄生晶体管易提前开启的问题。

　　 天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币，实缴资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2067次，专利信息2205条，此外企业还拥有行政许可343个。