深圳市昇维旭技术有限公司申请半导体结构形成方法专利，保证蚀刻后膜层形貌和刻蚀轮廓完整性

　　国家知识产权局信息显示，深圳市昇维旭技术有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号 CN 119403206 A，申请日期为2024年6月。

　　 专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构的形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：形成初始半导体结构，包括多个沟道；在各沟道内形成叠层结构，且叠层结构延伸至初始半导体结构的表面，叠层结构包括绝缘层、氧化层和牺牲层；在各沟道内通入保护气体和辅助气体并进行反应，以在牺牲层的表面随形形成保护层，保护气体包括硅离子，辅助气体包括氧离子；对具有保护层的叠层结构进行蚀刻，去除位于沟道的底部的部分叠层结构以及去除位于功能层的表面的叠层结构，以露出衬底和功能层的表面。本公开通过在蚀刻器件沟道内的各膜层上形成保护层，保证了蚀刻后的膜层形貌和刻蚀轮廓的完整性，为后续器件的工艺制程提供良好的结构基础。

　　 天眼查资料显示，深圳市昇维旭技术有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万人民币，实缴资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市昇维旭技术有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目11次，知识产权方面有商标信息47条，专利信息83条，此外企业还拥有行政许可13个。