三星将公开新一代MRAM存储器件研究成果

　　美港电讯 10月27日讯，三星电子即将在国际电子器件会议（IEDM）上，报告其在新一代非易失性存储器件领域最新研究进展。会议接收的资料显示，三星研究人员在14nm FinFET逻辑工艺上实现了磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器(MRAM)制造，据称是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存储器。