美光将基于EUV光刻的1γ nm制程DRAM技术推迟到2025年

　　美国最大存储芯片制造商美光科技周三宣布大幅削减成本的措施。其中，作为减少资本支出的一部分，美光将使用 EUV光刻的1γ nm制程DRAM推迟到2025年，232层之后的NAND节点也被推迟。