北京晶格领域半导体申请液相法生长碳化硅单晶专利，能够实现碳化硅晶体长时间稳定生长

　　国家知识产权局信息显示，北京晶格领域半导体有限公司申请一项名为“一种液相法生长碳化硅单晶的方法及装置”的专利，公开号CN 119352163 A，申请日期为2024年10月。

　　 专利摘要显示，本发明涉及碳化硅单晶制备技术领域，特别涉及一种液相法生长碳化硅单晶的方法及装置。本发明实施例提供了一种液相法生长碳化硅单晶的方法，包括：将含有溶剂元素的材料置于耐高温熔体腐蚀的坩埚中加热熔融，在所述坩埚中得到高温溶液；将碳化硅制备的原料块置于所述高温溶液中，以为所述高温溶液中提供碳元素和硅元素；利用第一旋转提拉杆带动碳化硅籽晶进入所述坩埚，使所述碳化硅籽晶与所述高温溶液的液面接触以生长碳化硅单晶。本发明实施例提供了一种液相法生长碳化硅单晶的方法及装置，能够实现碳化硅晶体长时间稳定生长。

　　 天眼查资料显示，北京晶格领域半导体有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3345.6577万人民币，实缴资本1427.4864万人民币。通过天眼查大数据分析，北京晶格领域半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，知识产权方面有商标信息5条，专利信息27条，此外企业还拥有行政许可6个。