南京第三代半导体取得集成传感器的功率半导体器件专利，实现功率半导体晶圆的电流和或结温检测

　　国家知识产权局信息显示，南京第三代半导体技术创新中心有限公司取得一项名为“一种集成传感器的功率半导体器件”的专利，授权公告号CN 222424603 U，申请日期为2024年11月。

　　 专利摘要显示，本实用新型公开了一种集成传感器的功率半导体器件，包括：基板、功率半导体晶圆、功率端子和信号端子；基板用于为功率半导体晶圆、功率端子、信号端子提供电路连接和机械支撑；功率半导体晶圆上的电极通过基板与功率端子、信号端子电连接，功率端子、信号端子朝远离功率半导体晶圆的方向向上翻折；功率半导体晶圆包括若干功率半导体单元，每个功率半导体单元中包括若干功率半导体元胞、电流传感器和/或温度传感器。本实用新型通过在功率半导体单元中集成电流传感器和/或温度传感器，实现功率半导体晶圆的电流和/或结温检测，便于功率半导体器件的扩展应用。

　　 天眼查资料显示，南京第三代半导体技术创新中心有限公司，成立于2022年，位于南京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2001万人民币，实缴资本2001万人民币。通过天眼查大数据分析，南京第三代半导体技术创新中心有限公司参与招投标项目7次，专利信息55条，此外企业还拥有行政许可3个。