深圳市昇维旭技术有限公司申请半导体器件及其制作方法专利，提高产品电性能

　　国家知识产权局信息显示，深圳市昇维旭技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法”的专利，公开号 CN 119403190 A，申请日期为 2024 年 6 月。

　　 专利摘要显示，本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体器件及其制作方法，该制作方法包括：在衬底上形成堆叠膜层，堆叠膜层包括沿竖直方向依次堆叠的第一导电层、第一绝缘层、第二导电层；堆叠膜层内形成有开口，在竖直方向上，开口贯穿第二导电层；形成第二绝缘层和第一牺牲层，第二绝缘层至少覆盖开口的侧壁，第一牺牲层位于第二绝缘层的表面；去除部分位于开口的底部的第一绝缘层；在具有第一牺牲层的开口内形成第二牺牲层；去除开口的底部剩余的第一绝缘层，以形成露出第一导电层的沟槽。本公开的制作方法可减少结构缺陷，提高产品电性能。

　　 天眼查资料显示，深圳市昇维旭技术有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万人民币，实缴资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市昇维旭技术有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目11次，知识产权方面有商标信息47条，专利信息83条，此外企业还拥有行政许可13个。