上海华力申请改善器件漏电的方法专利，解决特高压PMOS及超高压PMOS器件易漏电问题

　　国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“改善器件漏电的方法”的专利，公开号CN 119403210 A，申请日期为2024年10月。

　　 专利摘要显示，本发明提供一种改善器件漏电的方法，方法包括：提供一半导体衬底，半导体衬底用于集成NMOS器件及PMOS器件，且先形成NMOS器件再形成PMOS器件，NMOS器件至少包括超高压NMOS器件及特高压NMOS器件，且在NMOS器件还包括其他NMOS器件时，先形成其他NMOS器件最后再形成超高压NMOS器件及特高压NMOS器件，PMOS器件至少包括超高压PMOS器件及特高压PMOS器件，且在PMOS器件还包括其他PMOS器件时，先形成其他PMOS器件最后再形成超高压PMOS器件及特高压PMOS器件；在通过离子注入工艺形成超高压PMOS器件及特高压PMOS器件的源漏极时，先注入氟离子，再注入BF2离子通过本发明解决了现有的特高压PMOS器件及超高压PMOS器件易漏电的问题。

　　 天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币，实缴资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2067次，专利信息2205条，此外企业还拥有行政许可343个。