长鑫存储申请一种存储器及其制造方法专利，优化存储器的内部结构及电路耦接

　　国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种存储器及其制造方法”的专利，公开号CN 119277764 A，申请日期为2023年6月。

　　 专利摘要显示，本公开涉及半导体领域，提供了一种存储器及其制造方法。存储器包括：存储阵列，包括多个垂直晶体管以及多个存储单元；多条位线，位于垂直晶体管远离存储单元的一侧；第一互连结构，位于位线远离存储阵列的一侧；第二互连结构，位于第一互连结构远离位线的一侧；键合界面，位于第一互连结构和第二互连结构之间；外围电路，位于第二互连结构远离第一互连结构的一侧。其中，位线通过第一互连结构、键合界面和第二互连结构与外围电路对应耦接。其中，第一互连结构包括第一互连层，第一互连层包括多个第一焊盘和多条第一引线，多个第一焊盘通过多条第一引线以及多个第一接触插头与多条位线对应耦接，对于多条第一引线，延伸长度越大，宽度越大。

　　 天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于2017年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币，实缴资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫存储技术有限公司参与招投标项目377次，知识产权方面有商标信息2条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可44个。