杭州谱析光晶申请一种结终端拓展结构及其制备方法专利，极大缩短抽样检测所需要的时间

　　国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种结终端拓展结构及其制备方法”的专利，公开号CN 119277807 A，申请日期为2024年12月。

　　 专利摘要显示，本发明涉及 MOS 半导体技术领域，且公开了一种结终端拓展结构，包括金属漏极、源区源极金属、栅极金属、终端源极金属以及半导体外延层；所述源区源极金属以及栅极金属与半导体外延层之间均设有多晶硅，其中多晶硅与栅极金属欧姆接触，所述多晶硅表面覆盖有栅氧化层，所述半导体外延层包括衬底层和扩散层，所述扩散层包括有源区、主结以及多区结终端拓展结构；所述有源区包括有源区重掺杂N层、源区P层；所述主结包括有两个主结P层、主结重掺杂P层以及主结隔离环。本发明通过对抽样半导体的源漏电流、功耗以及延迟时间，来测试抽样半导体外延层是否符合生产工艺需求，这样不仅极大缩短抽样检测所需要的时间，还有效保证抽样检测的精准性。

　　 天眼查资料显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本774.0901万人民币，实缴资本658.536万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州谱析光晶半导体科技有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目15次，专利信息114条，此外企业还拥有行政许可2个。