浙江创芯申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构的性能

　　国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 119403196 A，申请日期为2024年10月。

　　 专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成电荷存储层；在所述电荷存储层上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的所述衬底内形成源极和漏极；对所述电荷存储层进行热载流子注入处理，使电子或空穴进入所述电荷存储层内。本发明实施例提供的形成方法，可以使载流子运输沟道远离衬底表面，降低衬底结合界面对沟道载流子的影响，提高沟道载流子迁移率，提高半导体结构的性能。

　　 天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币，实缴资本134000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目246次，知识产权方面有商标信息14条，专利信息194条，此外企业还拥有行政许可4个。