上海华力申请虚设图形的形成及改善缺陷方法专利，解决现有的在低压器件区与中压器件区之间易形成沟槽缺陷的问题

　　国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“虚设图形的形成方法及利用其改善缺陷的方法”的专利，公开号CN 119403211 A，申请日期为2024年10月。

　　 专利摘要显示，本发明提供一种虚设图形的形成方法及利用其改善缺陷的方法，方法包括：提供一目标层图形，其包括第一图形及第二图形，其中，第一图形形成于中压器件区，第二图形形成于低压器件区；对第一图形进行第一次扩大得到第一扩大图形；对第一图形进行第二次扩大得到第二扩大图形，且第二次扩大的程度小于第一次扩大的程度；从第一扩大图形减除第二扩大图形以得到一环形的虚设图形；将虚设图形套设添加于第一图形的外围以得到新目标层图形；其中，虚设图形用于在晶圆上形成有源区，且所形成的有源区位于中压器件区及低压器件区之间。通过本发明解决了现有的在低压器件区与中压器件区之间易形成沟槽缺陷的问题。

　　 天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币，实缴资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2067次，专利信息2205条，此外企业还拥有行政许可343个。