联华电子申请半导体结构及其制造方法专利，提高半导体结构性能

　　国家知识产权局信息显示，联华电子股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN 119277808 A，申请日期为2023年7月。

　　 专利摘要显示，本发明公开一种半导体结构及其制造方法，其中该半导体结构包括基板、源极区、漏极区以及栅极结构。源极区位于基板之中。漏极区位于基板之中。栅极结构设置于基板上且位于源极区与漏极区之间，包括第一子栅极结构及第二子栅极结构。第一子栅极结构邻近源极区，且包括第一子栅极绝缘层。第二子栅极结构邻近漏极区，且包括第二子栅极绝缘层。第二子栅极绝缘层与第一子栅极绝缘层相互分开。第一子栅极绝缘层具有第一厚度，第二子栅极绝缘层具有第二厚度，第二厚度大于第一厚度。

　　 天眼查资料显示，联华电子股份有限公司，成立于1980年，位于，是一家以从事None为主的企业。企业注册资本26000000万新台币。通过天眼查大数据分析，联华电子股份有限公司参与招投标项目27次，知识产权方面有商标信息16条，专利信息2540条。