华为申请存储器及其制备方法、电子设备专利，改善位于存储阵列边缘区域的晶体管性能退化

　　国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“存储器及其制备方法、电子设备”的专利，公开号CN 119277794 A，申请日期为2023年7月。

　　 专利摘要显示，本申请公开一种存储器及其制备方法、电子设备，涉及半导体存储技术领域。存储器包括衬底、多个存储阵列、填充结构及隔离侧墙。其中，存储阵列包括多个存储单元，存储单元包括层叠设置的晶体管和至少一个电容器，至少一个电容器电连接于晶体管背离衬底的一侧。在平行于衬底的方向上，填充结构位于相邻的两个存储阵列的晶体管之间。隔离侧墙位于填充结构背离衬底的一侧，且在平行于衬底的方向上，位于相邻的两个存储阵列的电容器之间。通过设置填充结构，位于相邻存储阵列之间区域的结构密度增大，在进行工艺制程时，能够改善存储阵列的边缘区域的膜层结构发生工艺缺陷，进而改善位于存储阵列边缘区域的晶体管性能退化的现象。

　　 天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4084113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了49家企业，参与招投标项目5000次，知识产权方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1346个。