长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利，提供一种新的半导体结构制备途径

　　国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN 119277765 A，申请日期为2023年6月。

　　 专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构的制备方法包括：提供基底；在其厚度方向上形成由多个初始支撑层和多个初始牺牲层交替的叠层结构；形成穿过叠层结构且与基底接触的多个初始下电极；叠层结构中顶层的初始顶层支撑层位于多个初始下电极之间还位于其之上；在初始顶层支撑层上方形成掩膜层，掩膜层和初始下电极中包含相同的材料；基于掩膜层图形化初始顶层支撑层，以在初始顶层支撑层中形成多个开口，沿多个开口继续刻蚀包含初始下电极的叠层结构，去除多个初始牺牲层；剩余的初始下电极构成下电极，剩余的掩膜层形成强化层，剩余的初始支撑层构成支撑层，支撑层中的顶层支撑层位于多个下电极之间并突出于多个下电极。

　　 天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于2017年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币，实缴资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫存储技术有限公司参与招投标项目377次，知识产权方面有商标信息2条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可44个。