京东方华灿光电申请发光二极管及制备方法专利，可优化发光二极管性能

　　国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电有限公司申请一项名为“发光二极管及发光二极管制备方法”的专利，公开号 CN 119384132 A，申请日期为 2024 年 9 月。

　　 专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。发光二极管包括：外延结构、介质膜反射层和银镜层；外延结构开设有台阶结构，台阶结构包括台阶顶面和台阶底面，介质膜反射层覆盖台阶结构；介质膜反射层在所述台阶底面开设有第介质膜通孔介质膜反射层在台阶顶面开设有多个第二介质膜通孔，银镜层位于介质膜反射层上，银镜层通过多个第二介质膜通孔与外延结构电连接；最靠近第一介质膜通孔的投影的多个第二介质膜通孔的投影绕第一介质膜通孔的投影均匀分布，第一介质膜通孔的投影和第二介质膜通孔的投影分别为第一介质膜通孔和第二介质膜通孔在外延结构远离介质膜反射层一面上的投影。

　　 天眼查资料显示，京东方华灿光电有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币，实缴资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目47次，专利信息916条，此外企业还拥有行政许可35个。