长鑫科技申请一种半导体结构及其制作方法专利，提高半导体结构的可靠性

　　国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制作方法”的专利，公开号 CN 119403198 A，申请日期为 2023 年 7 月。

　　 专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：基底，基底包括半导体衬底以及位于半导体衬底表面的半导体层，其中，半导体层的材料的禁带宽度小于半导体衬底的材料的禁带宽度；栅极结构，栅极结构位于半导体层的顶面；源漏掺杂区，源漏掺杂区位于栅极结构的相对两侧的基底内，源漏掺杂区包括凹槽，凹槽的底面低于半导体层的底面；金属半导体化合物层，金属半导体化合物层位于源漏掺杂区的凹槽的底部，且金属半导体化合物层的顶面低于半导体层的底面。可以提高半导体结构的可靠性。

　　 天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币，实缴资本5363300万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1088次，知识产权方面有商标信息207条，专利信息276条，此外企业还拥有行政许可28个。