昇维旭申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构的工作性能

　　国家知识产权局信息显示，深圳市昇维旭技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 119403185 A，申请日期为2024年9月。

　　 专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；栅极结构，位于衬底上；沟道柱，位于衬底上、且沿纵向贯穿栅极结构；侧墙，沿纵向延伸位于沟道柱侧壁与栅极结构之间；补偿层，填充于侧墙底部位置处，沟道柱与栅极结构之间的空隙中。本发明有利于提高半导体结构的工作性能。

　　 天眼查资料显示，深圳市昇维旭技术有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万人民币，实缴资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市昇维旭技术有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目11次，知识产权方面有商标信息47条，专利信息83条，此外企业还拥有行政许可13个。