浙江创芯集成电路申请半导体结构及其形成方法专利，能够提高半导体结构的性能

　　国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号 CN 119403212 A，申请日期为2024年12月。

　　 专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底，以及位于所述衬底上的沟道层；在所述沟道层上形成控制栅极和极性栅极，所述控制栅极位于所述极性栅极的一侧；采用离子注入的方式，在所述极性栅极另一侧露出的沟道层内形成源漏掺杂区；在所述极性栅极另一侧露出的沟道层上形成金属材料层，并执行第一退火处理，形成金属硅化物层；在形成所述源漏掺杂区和所述金属硅化物层之后执行第二退火处理相变形成目标金属硅化物层。采用上述技术方案，能够提高半导体结构的性能。

　　 天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币，实缴资本134000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目246次，知识产权方面有商标信息14条，专利信息194条，此外企业还拥有行政许可4个。