发布时间:2022-06-30 15:23 已有: 人阅读
三星电子今日宣布,基于3纳米(nm)全环绕栅极(Gate-All-AroundT,简称GAA)制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。3nm GAA技术采用了更宽通的纳米片,与采用窄通道纳米线的GAA技术相比能提供更高的性能和能耗比。