高华科技：SOI原理MEMS压力芯片已完成初样验证，并开始小批量试

　　高华科技近期接受投资者调研时称，公司研发费用增长主要系研发人员投入、研发材料投入以及研发设备投入增加所致。公司高度重视技术创新，围绕公司主业，在传感器件、传感器网络系统以及高可靠芯片等领域加大研发投入。2023年上半年，公司自研的扩散硅原理MEMS压力芯片已实现量产；SOI原理MEMS压力芯片已完成初样验证，并开始进行小批量试制，预计2023年年底实现量产。完成了磁致伸缩位移传感器型谱化、采高传感器、转速传感器等产品研制。针对长征系列运载火箭无缆化需求，完成新一代无线传感网络系统的优化迭代。