长鑫存储申请存储单元、存储结构及其制备方法专利，有效提高存储密度

　　国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“存储单元、存储结构及其制备方法”的专利，公开号CN 119277760 A，申请日期为2023年6月。

　　 专利摘要显示，本公开涉及一种存储单元、存储结构及其制备方法。存储单元包括：共享位线，沿第一方向延伸；共享字线，沿第三方向延伸，且共享字线包括写入字线部以及读取字线部；第一填充结构位于写入字线部的侧壁；写入沟道结构，包括写入栅介质层以及写入沟道层，写入栅介质层沿写入字线部的侧壁以及第一填充结构的各侧壁延伸，写入沟道层位于写入栅介质层的表面；隔离层，包括第一隔离部，第一隔离部位于写入沟道层远离共享字线的一侧；读取沟道结构，包括读取栅介质层以及读取沟道层，读取栅介质层沿第一隔离部的侧壁以及写入沟道层的侧壁延伸，读取沟道层沿共享位线侧壁、读取栅介质层表面以及读取字线部侧壁延伸。本公开实施例中可以有效提高存储密度。

　　 天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于2017年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币，实缴资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫存储技术有限公司参与招投标项目377次，知识产权方面有商标信息2条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可44个。