达尔科技申请半导体整流器件及其制造方法专利，包含新的器件及制造方法

　　国家知识产权局信息显示，达尔科技股份有限公司申请一项名为“半导体整流器件及其制造方法”的专利，公开号CN 119277806 A，申请日期为2023年7月。

　　 专利摘要显示，本申请涉及半导体整流器件及其制造方法。半导体整流器件包括：外延层，具有顶表面及底表面；第一凹槽，自顶表面往底表面延伸，且包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁，及连接两侧壁的第一底面；第二凹槽，与第一凹槽相邻，且包括彼此相对的第三侧壁和第四侧壁，及连接两侧壁的第二底面；第一掺杂区，自顶表面往底表面延伸，且邻接第一凹槽的第一侧壁与至少部分的第一底面；第二掺杂区，与第一掺杂区相邻且彼此分离，自顶表面往底表面延伸，且邻接第二凹槽的第三侧壁、第四侧壁与第二底面；栅极结构，设置于第一凹槽与第二凹槽之间的顶表面，且栅极结构的底面邻接第一掺杂区与第二掺杂区；及接触金属层。