深圳市存厚科技申请一种 2T0C-DRAM 存储单元专利，提升存储密度

　　国家知识产权局信息显示，深圳市存厚科技有限公司申请一项名为“一种 2T0C-DRAM 存储单元、制备方法和存储阵列”的专利，公开号 CN 119364762 A，申请日期为 2024 年 10 月。

　　 专利摘要显示，本申请属于动态随机存取存储器领域，具体公开了一种 2T0C‑DRAM 存储单元、制备方法和存储阵列。通过本申请，写晶体管的沟道层为环形，环绕包围写晶体管的栅极的四个面；读晶体管的沟道层为筒形，包围读晶体管的第一栅极的侧、底面；大大增加垂直方向的空间利用，使得单位面积的沟道长度更高，进而提升晶体管的密度，提升存储密度；大大增加栅极与绝缘层的接触面积比例，降低读取操作中电信号对读晶体管沟道层的影响，降低尺寸缩放导致存储单元工作状态异常的风险。晶体管的栅极、源极和漏极的结构和位置安排令存储阵列的写字线、写位线、读字线、读位线和接地线错位排列，并隔开足够的距离，减少存储阵列中信号变化引起的耦合效应。

　　 天眼查资料显示，深圳市存厚科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币，实缴资本160万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市存厚科技有限公司专利信息1条，此外企业还拥有行政许可1个。