京东方华灿光电申请发光二极管及发光二极管制备方法专利，提高发光效率

　　国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电有限公司申请一项名为“发光二极管及发光二极管制备方法”的专利，公开号 CN 119384129 A，申请日期为2024年9月。

　　 专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。发光二极管包括：图形化衬底、外延结构、绝缘结构、电极结构和平坦层。外延结构位于图形化衬底上，外延结构开设有台阶结构，台阶结构的台阶面位于外延结构内；外延结构还开设有隔离槽，隔离槽底部位于图形化衬底表面；平坦层位于隔离槽的底部；绝缘结构包覆隔离槽底部的平坦层和台阶结构；电极结构穿过绝缘结构与外延结构连接。在隔离槽的底部设置平坦层，使得图形化衬底表面的凸起结构被平坦层隔离，这样在平坦层上形成的绝缘层没有凸起，反射性能更好，能够提高发光效率。

　　 天眼查资料显示，京东方华灿光电有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币，实缴资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目47次，专利信息916条，此外企业还拥有行政许可35个。