长鑫存储申请半导体结构、存储器及其制备方法专利，增加单个存储单元结构中晶体管沟道的宽度

　　国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构、存储器及其制备方法”的专利，公开号 CN 119277762 A，申请日期为 2023 年 6 月。

　　 专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构、存储器及其制备方法，包括有源柱、两个沟道层、两个栅极及两个绝缘层，两个沟道层分别位于有源柱的沿第一方向相对的两表面，沟道层包括沿第一方向背离有源柱的第一表面及沿第二方向相对的第二表面及第三表面，第一方向与第二方向相交；两个栅极分别覆盖一沟道层的第一表面、第二表面及第三表面；两个绝缘层分别位于有源柱的沿第二方向相对的表面，且位于两个栅极之间，至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下，增加单个存储单元结构中晶体管沟道的宽度。

　　 天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于2017年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币，实缴资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫存储技术有限公司参与招投标项目377次，知识产权方面有商标信息2条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可44个。