爱思开海力士申请存储器设备和该存储器设备的制造方法专利，或实现存储器设备性能提升

　　国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“存储器设备和该存储器设备的制造方法”的专利，公开号CN 119277790 A，申请日期为2024年1月。

　　 专利摘要显示，本公开涉及存储器设备和该存储器设备的制造方法。一种存储器设备可以包括：堆叠结构，其包括沿第一方向交替堆叠的多个导电层和多个层间绝缘层，该堆叠结构包括单元区域和接触区域，接触区域从单元区域延伸并且具有台阶结构；在接触区域中分别与多个导电层接触的多个接触插塞，多个接触插塞在第一方向上延伸；以及分别与接触插塞接触的多个下柱，多个下柱在堆叠结构中位于接触插塞的底部上。多个下柱中的每个下柱可以包括与堆叠结构接触的衬垫层以及由衬垫层围绕的柱结构。