兆易创新申请 NOR 型存储器件及其制造方法专利，提高了存储阵列的集成密度

　　国家知识产权局信息显示，兆易创新科技集团股份有限公司申请一项名为“NOR 型存储器件及其制造方法”的专利，公开号 CN 119277789 A，申请日期为 2023 年 7 月。

　　 专利摘要显示，本公开涉及 NOR 型存储器件及其制造方法。该 NOR 型存储器件包括：沿竖直方向交替堆叠的至少两个源/漏接触层和至少一个隔离层；竖直延伸穿过所述源/漏接触层和所述隔离层的栅极结构以及位于所述栅极结构外周的半导体层；其中，分别紧邻所述隔离层上方和下方的两个源/漏接触层被分别连接到两个位线/源极线，并且与所述栅极结构和所述半导体层形成一个存储晶体管。本公开如上所述地提出了一种新型的竖直堆叠的 NOR 型存储器件结构，其提高了存储阵列的集成密度且结构简单、制造工艺简单易行。

　　 天眼查资料显示，兆易创新科技集团股份有限公司，成立于2005年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本66587.2205万人民币，实缴资本7500万人民币。通过天眼查大数据分析，兆易创新科技集团股份有限公司共对外投资了24家企业，参与招投标项目22次，知识产权方面有商标信息53条，专利信息1291条，此外企业还拥有行政许可8个。