格科微电子申请图像传感器的形成方法专利，减少光电二极管中的回流和暗电流

　　国家知识产权局信息显示，格科微电子有限公司申请一项名为“图像传感器的形成方法”的专利，公开号CN 119277827 A，申请日期为2023年7月。

　　 专利摘要显示，本发明公开了一种图像传感器的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底正面形成沟槽隔离结构和光电二极管在所述光电二极管的上方形成至少部分沟道为垂直方向的转移晶体管的栅极；在所述衬底正面注入第一导电类型的第一掺杂区；通过控制所述栅极的电压，使所述光电二极管的电荷经过所述光电二极管的第二导电类型的第二掺杂区与所述转移晶体管的栅极之间的部分衬底传输至所述第一掺杂区。本发明实施例将转移晶体管的栅极的位置靠近隔离结构，并利用了光电二极管的第二导电类型的第二掺杂区的高浓度掺杂的特性，从而更容易关断光电二极管的电荷转移通道，减少光电二极管中的回流和暗电流；另外还可以形成全耗尽传输沟道，提高电荷的传输能力。

　　 天眼查资料显示，格科微电子有限公司，成立于2003年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6259.722万美元，实缴资本6259.722万美元。通过天眼查大数据分析，格科微电子有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目15次，知识产权方面有商标信息65条，专利信息1045条，此外企业还拥有行政许可40个。