苏州长光华芯申请半导体刻蚀方法专利，有效提升目标深度Ⅲ‑Ⅴ族半导体刻蚀后凹槽的垂直度

　　国家知识产权局信息显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司、苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司申请一项名为“半导体刻蚀方法”的专利，公开号CN 119340780 A，申请日期为2024年12月。

　　 专利摘要显示，本公开提供了半导体刻蚀方法，包括：提供衬底结构，衬底结构的材料为Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体材料；在衬底结构上旋涂光刻胶形成光刻胶层；利用光刻工艺制备光刻图案；对具有光刻图案的衬底结构进行干法浅刻蚀；对干法浅刻蚀后的衬底结构进行氧气等离子处理；重复干法浅刻蚀和氧气等离子处理直至在衬底结构中形成目标深度的垂直凹槽。本公开提供的半导体刻蚀方法，通过对Ⅲ‑Ⅴ化合物半导体衬底进行干法浅刻蚀，有效减少了刻蚀过程中的副产物，通过氧气等离子处理去除干法浅刻蚀过程中在衬底表面及沟槽处形成的少量副产物，通过对衬底进行干法浅刻蚀与氧气等离子处理的循环处理，有效提升目标深度Ⅲ‑Ⅴ族半导体刻蚀后凹槽的垂直度。

　　 天眼查资料显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本17627.9943万人民币，实缴资本9663.4952万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州长光华芯光电技术股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目65次，知识产权方面有商标信息14条，专利信息250条，此外企业还拥有行政许可15个。