上海微釜半导体设备申请多晶碳化硅生长装置及生长方法专利，提高生产效率

　　国家知识产权局信息显示，上海微釜半导体设备有限公司申请一项名为“多晶碳化硅生长装置及生长方法”的专利，公开号 CN 119352164 A，申请日期为2024年12月。

　　 专利摘要显示，本发明涉及多晶碳化硅生长技术领域，尤其涉及一种多晶碳化硅生长装置及生长方法，其中，多晶碳化硅生长装置包括生长炉、晶舟、匀气组件、供气组件和加热组件；同一时间段内，能够在多层晶圆的表面分别形成对应的多晶碳化硅薄膜，提高了生产效率。匀气组件安装于晶舟上，能够使混合气体向每层晶圆表面扩散。一方面，晶舟作为晶圆的载体使用；另一方面，晶舟还作为匀气组件的载体使用。相较于传统的多晶碳化硅生长装置，晶舟与匀气组件实现了有机结合，能够快速地在每层晶圆周围形成相同的气体环境。如此，既有利于提高成膜效率，又有利于每层晶圆表面的碳化硅薄膜的厚度尽可能保持一致，保障每层晶圆表面的碳化硅薄膜的成膜质量。

　　 天眼查资料显示，上海微釜半导体设备有限公司，成立于2022年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本997.4641万人民币，实缴资本576.6234万人民币。通过天眼查大数据分析，上海微釜半导体设备有限公司参与招投标项目6次，知识产权方面有商标信息6条，专利信息8条，此外企业还拥有行政许可3个。