深圳市迅捷科通申请功率半导体器件故障缺陷检测专利，提高检测准确性

　　国家知识产权局信息显示，深圳市迅捷科通技术有限责任公司申请一项名为“一种功率半导体器件故障缺陷的检测装置及检测方法”的专利，公开号 CN 119375652 A，申请日期为2024年10月。

　　 专利摘要显示，本发明公开了一种功率半导体器件故障缺陷的检测方法，包括：向待测功率半导体器件提供周期性方波检测电压；捕获待测功率半导体器件在不同周期内的红外热像图；分析处理红外热像图并得到实际发热图像；基于实际发热图像确定异常发热图像；基于异常发热图像确定所述待测功率半导体器件的故障缺陷位置。本发明还公开了一种功率半导体器件故障缺陷的检测装置，功率半导体器件包括但不限于IGBT、MOSFET、JFET、BJT、SCR

　　 和ASIC等。本发明的有益效果为：通过设置周期性方波检测电压，可以放大发热异常较小的故障缺陷的温度差异，提高检测准确性，捕获红外热像图并对其进行分析计算，以准确定位待测功率半导体器件故障缺陷位置。

　　 天眼查资料显示，深圳市迅捷科通技术有限责任公司，成立于2024年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本300万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市迅捷科通技术有限责任公司拥有行政许可2个。