上海华力申请用于 SRAM 速度调节的控制电路专利，能调节背侧电压实现性能与功耗优化

　　国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“用于 SRAM 速度调节的控制电路”的专利，公开号 CN 119380778 A，申请日期为 2024 年 9 月。

　　 专利摘要显示，本发明提供一种用于 SRAM 速度调节的控制电路，包括双端口的八晶体管 SRAM，其包括：6 晶体管 SRAM 结构和 2 晶体管读取端口；6 晶体管 SRAM 结构由信号 A‑WL、BL1、BL2 控制；6 晶体管 SRAM 结构连接存储单元工作电源 Vdd；背侧偏置电压控制模块，其用于控制 2 晶体管读取端口的背侧电压，包括：第一、二电位偏移模块；讯号 A 控制模块，讯号 B 控制模块，讯号 C 控制模块；第一至三控制开关，其分别用于控制 2 晶体管读取端口的背侧电压正电压、负电压和 0V 的开启状态。本发明当 B‑WL 关闭时，读取端口为静止模式，调节背侧电压为负电压，使得截止漏电下降以降低功耗；当 B‑WL 启动时，读取端口为操作模式，调节背侧电压为正电压，使得导通电流上升以增加操作速度。

　　 天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币，实缴资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2067次，专利信息2181条，此外企业还拥有行政许可344个。