京东方华灿光电申请发光二极管及制备方法专利，提高发光二极管的稳定性及亮度

　　国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电有限公司申请一项名为“发光二极管及发光二极管制备方法”的专利，公开号 CN 119384130 A，申请日期为 2024 年 9 月。

　　 专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。发光二极管包括：衬底、外延结构和反射层；所述外延结构呈台阶结构，所述外延结构还开设有延伸到所述衬底的隔离槽；所述反射层覆盖所述台阶结构和所述隔离槽的部分所述隔离槽 的另一部分露出所述衬底。反射层仅覆盖隔离槽的部分区域，另一部分区域未被反射层覆盖而露出衬底，在进行发光二极管划片时也是在未被反射层覆盖的衬底处进行，从而避免了划片过程中容易造成反射层损伤甚至脱落的问题，提高了发光二极管的稳定性及亮度。

　　 天眼查资料显示，京东方华灿光电有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币，实缴资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目47次，专利信息916条，此外企业还拥有行政许可35个。