机构：800V+架构车型销量增长将超10倍 渗透率大提升

　　随着新能源汽车向800V甚至1000V高压平台快速迁移，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代功率半导体正迎来装车高峰。佐思汽研最新发布的

　　SiC功率器件凭借耐高压、低损耗、高频特性，成为800V及以上平台的主驱逆变器、车载充电器、DC/DC转换器等核心部件的首选。报告指出，2024年中国乘用车SiC/GaN功率芯片需求量为0.73亿颗，2025年预计达1.46亿颗，同比增长98.6%，2030年需求规模将进一步攀升至6.08亿颗。

　　车企方面，比亚迪已率先推出车规级1500V SiC功率芯片，搭载叠层激光焊、纳米银烧结等工艺，使杂散电感降低75%、热阻降低95%，并支持高达1000kW的充电功率，成本较进口降低40%。该芯片已首次量产应用于汉L EV、唐L EV、仰望U7、腾势N9等车型。东风奕派亦计划在下一代超1000V平台采用1700V SiC电源模块，开关损耗降低60%，系统效率从96%提升至99%，可延长续航3%以上。

　　GaN器件凭借高开关频率、低损耗优势，已在车载OBC领域取得突破。特斯拉、长安汽车、吉利威睿等车企，以及汇川联合动力、联合汽车电子等Tier 1厂商均已导入GaN方案。除OBC外，GaN在DC-DC转换器、车载激光雷达等领域的应用也在拓展。