长江存储申请半导体器件及其制备方法专利，能够提高半导体器件的良率

　　国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号 CN 119277791 A，申请日期为 2023 年 7 月。

　　 专利摘要显示，本公开提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。其中，半导体器件包括：堆叠层；顶部选择栅极层，位于所述堆叠层上；栅线隔离结构，贯穿所述顶部选择栅极层和所述堆叠层，所述栅线隔离结构中穿过所述顶部选择栅极层的部分为第隔离结构所述第隔离结构包括与所述顶部选择栅极层接触的接触层沟道结构，贯穿所述堆叠层；第一电介质层，位于所述顶部选择栅极层上，所述第一电介质层和所述接触层包括不同的绝缘介质；沟道局部触点，贯穿所述第一电介质层，并与所述沟道结构对应设置。通过本公开的技术方案，能够减小第一电介质层的刻蚀操作对栅线隔离结构的接触层的影响，进而提高半导体器件的良率。

　　 天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6471073.69万人民币，实缴资本6471073.69万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1390次，知识产权方面有商标信息946条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1003个。