中微半导体申请用于GaN HEMT的相关专利，外延层表面缺陷可得到明显改善

　　国家知识产权局信息显示，中微半导体有限公司申请一项名为“用于GaN HEMT的超晶格结构、缓冲层、GaN HEMT外延片及生长方法”的专利，公开号CN 119403191 A，申请日期为2024年12月。

　　 专利摘要显示，本发明公开了一种用于GaN HEMT的超晶格结构、缓冲层、GaN HEMT外延片及生长方法。所述超晶格结构包含：N个AlN/GaN/AlGaN叠层结构，所述AlN/GaN/AlGaN叠层结构包含由下至上依次堆叠生长的AlN层、GaN层及AlGaN层，N为大于1的整数。本发明制备的超晶格结构在AlN层与AlGaN层之间插入GaN层，GaN层不仅可以降低AlN层的表面缺陷，还可以抵消一部分压应力，减少应力缺陷，并且GaN在生长时的原子横向迁移能力更强，这样外延层表面缺陷可以得到明显改善。

　　 天眼查资料显示，中微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万人民币，实缴资本94784.41444万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目10次，专利信息13条，此外企业还拥有行政许可13个。