南京南瑞半导体申请一种 SiC MOSFET 器件及其制备方法专利，有效提升器件抵御短路电流冲击能力

　　国家知识产权局信息显示，南京南瑞半导体有限公司申请一项名为“一种 SiC MOSFET 器件及其制备方法”的专利，公开号 CN 119403187 A，申请日期为 2024 年 10 月。

　　 专利摘要显示，本发明公开了一种 SiC MOSFET 器件，第一掺杂类型的轻掺杂的第一外延层与栅介质层之间设置第一掺杂类型的电流扩散层，内设第二掺杂类型的阱区、第一掺杂类型的源区和第二掺杂类型的接触区；第二掺杂类型的阱区底端设置用于降低源极肖特基电极下方的电场强度并提升器件抵御短路电流冲击能力的第二掺杂类型的深埋电场屏蔽区，有效降低肖特基电极下方的电场强度，提升器件抵御短路电流冲击的能力，增长器件的短路耐受时间；改变深埋电场屏蔽区域的形状、宽度或深度，平衡深埋电场屏蔽区域对器件正常工作性能的影响；增设电流扩散层维持器件的通流能力和耐压能力；该器件结构和制备方法简单，与传统 SiC MOSFET 制备工艺兼容性高，易于批量化生产。

　　 天眼查资料显示，南京南瑞半导体有限公司，成立于2019年，位于南京市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本86671.89万人民币，实缴资本84686.56万人民币。通过天眼查大数据分析，南京南瑞半导体有限公司参与招投标项目269次，知识产权方面有商标信息25条，专利信息118条，此外企业还拥有行政许可14个。