诺瓦尔德股份有限公司取得制备有机半导体层的方法等专利

　　国家知识产权局信息显示，诺瓦尔德股份有限公司取得一项名为“制备有机半导体层的方法、用于该方法的组合 物以及有机电子器件”的专利，授权公告号CN 113646916 B，申请日期为2020年2月。