力晶积成电子申请晶体管结构专利，能提供一种全新的晶体管结构

　　国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“晶体管结构”的专利，公开号CN 119277809 A，申请日期为2023年7月。

　　 专利摘要显示，本发明公开一种晶体管结构，包括基底、栅极结构、第一掺杂区、第二掺杂区、飘移区、场板、电荷存储层与第一介电层。栅极结构位于基底上。第一掺杂区与第二掺杂区位于栅极结构的两侧的基底中。飘移区位于栅极结构与第二掺杂区之间的基底中。场板位于飘移区上方的基底上。电荷存储层位于场板与飘移区之间。第一介电层位于场板与电荷存储层之间。