上海积塔半导体申请半导体结构及制造方法专利，有效保护有源区整体高度均匀性

　　国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及制造方法”的专利，公开号CN 119277813 A，申请日期为2024年9月。

　　 专利摘要显示，本发明提供了一种半导体结构及制造方法，通过在包括有用于制作具有第一耐压能力的晶体管的第一区域和用于制作具有第二耐压能力的晶体管的第二区域的半导体衬底表面生成覆盖层；在所述覆盖层表面形成第一图形化保护层，在所述第一图形化保护层的暴露的区域执行第一掺杂制程；去除所述第一图形化保护层，保留所述覆盖层；在所述覆盖层表面形成第二图形化保护层，在所述第二图形化保护层的暴露的区域执行第二掺杂制程；去除所述第二图形化保护层，保护有源区表面在离子化金属等离子体掺杂和清洗过程中不暴露于空气中而不被侵蚀，可有效保护有源区整体高度的均匀性，提高设备的稳定性，提升器件良率及可靠性，延长使用寿命。

　　 天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币，实缴资本1607601.0503万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1803次，知识产权方面有商标信息9条，专利信息895条，此外企业还拥有行政许可177个。