长鑫存储申请半导体结构相关专利，降低半导体结构整体高度

　　国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构、存储器及其制备方法”的专利，公开号 CN 119277787 A，申请日期为2023年6月。

　　 专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构、存储器及其制备方法，半导体结构包括第一导电结构、第二导电结构、第三导电结构、沟道层及隔离层，第一导电结构沿第一方向延伸；第二导电结构和第三导电结构沿第二方向延伸，第二导电结构和第三导电结构在第一方向上间隔交替排布；沟道层沿第一方向延伸，沟道层环绕第一导电结构；隔离层沿第二方向延伸，隔离层位于第二导电结构和第三导电结构之间，隔离层与沟道层接触连接其中沟道层具有多个在第二方向上延伸的凸出部，第二导电结构和第三导电结构分别与对应的凸出部接触连接；第二方向垂直于第一方向，该半导体结构可以降低半导体结构的整体高度，增加存储密度，提高产品良率。

　　 天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于2017年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币，实缴资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫存储技术有限公司参与招投标项目377次，知识产权方面有商标信息2条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可44个。