长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利，降低位线接触插塞与有源区之间的接触电阻

　　国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN 119277763 A，申请日期为2023年6月。

　　 专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括衬底、位线接触插塞及绝缘结构；衬底内包括阵列排布的多个有源区及用于限定有源区的隔离结构；位线接触插塞与有源区对应设置，相邻的位线接触插塞经由绝缘结构相互绝缘；其中，位线接触插塞包括导电接触插塞及位于导电接触插塞与对应的有源区之间的界面层；导电接触插塞的电阻率位于预设范围之内。上述结构能够降低位线接触插塞与有源区之间的接触电阻，并且能够将导电接触插塞同时用作与导电层之间的阻挡层，以节省原本位线结构中位线阻挡层的制备工艺，从而提高半导体结构的良率并减少其成本，以提高半导体结构的电学性能。

　　 天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于2017年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币，实缴资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫存储技术有限公司参与招投标项目377次，知识产权方面有商标信息2条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可44个。