华厦镓链申请一种氮化镓薄膜的气相生长方法及氮化镓薄膜专利，有利于薄膜材料大面积单晶生长

　　国家知识产权局信息显示，华厦镓链半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓薄膜的气相生长方法及氮化镓薄膜”的专利，公开号 CN 119352165 A，申请日期为2024年10月。

　　 专利摘要显示，本发明公开一种氮化镓薄膜的气相生长方法及氮化镓薄膜，涉及半导体材料的气相生长技术领域。该方法包括以下步骤：S1.将衬底的顶部设置在线性供气口的下方，将氯化镓气体、氨气与载气通过线性供气口流向衬底进行氮化镓的生长，将衬底往线性供气口的气体输出方向移动并且逐步调整线性供气口的宽度直至衬底的尾部位于线性供气口的下方完成氮化镓的生长；S2.重复步骤S1，得到氮化镓薄膜。本发明的提供一种氮化镓薄膜的气相生长方法及氮化镓薄膜通过宽度可调的线性供气口，从点供应变成线供应，配合可移动的衬底，从而实现单点成核，有利于薄膜材料大面积单晶生长。

　　 天眼查资料显示，华厦镓链半导体有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本600万人民币，实缴资本20.87万人民币。通过天眼查大数据分析，华厦镓链半导体有限公司专利信息2条。