爱思开海力士申请半导体装置相关专利,实现半导体装置和系统性能优化

发布时间:2025-02-04 08:45 已有: 人阅读

  国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置和包括该半导体装置的半导体系 统”的专利,公开号CN 119380766 A,申请日期为2024年5月。

   专利摘要显示,本申请公开了一种半导体装置和包括该半导体装置的半导体系统。半导体装置包括:多个焊盘;数据模式分析电路,被配置为通过分析映射到多个焊盘中的每一个的数据中的每一个的数据模式来生成分析信号;数据重新映射电路,被配置为基于分析信号重新确定数据和多个焊盘之间的关系,并基于重新确定的关系将数据与多个焊盘重新映射;以及输出电路,被配置为通过多个焊盘输出重新映射数据。

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